عنوان بازدید
دانلود رایگان نرم افزار سیلواکو 2014 (silvaco 2014) 129
آموزش سیستم های کنترل خطی در متلب 105
ترجمه مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction 95
دانلود طرح لایه باز کارت ویزیت شرکت نصب و نگهداری دوربین مدار بسته 91
شبیه سازی مدولاتور و دمدولاتور AM در پروتئوس همراه با سورس پروژه و گزارش کامل 91
کتاب آموزش سیلواکو ATLAS - بخش مقدماتی (به زبان فارسی) 91
نمونه سوالات میانترم آمار و احتمال سال 95 دانشگاه شریف 83
پاورپوینت آموزشی SPSS 83
106 صفحه نمونه سوالات ریاضیات مهندسی با جواب 79
کرک نرم افزار سیلواکو Silvaco 2014 (آپدیت 1399/04/2) 79
عنوان تاریخ ارسال
گزارش کار آزمایشگاه الکترونیک صنعتی یکشنبه 02 شهریور 1399
ترجمه مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction یکشنبه 05 مرداد 1399
106 صفحه نمونه سوالات ریاضیات مهندسی با جواب سه شنبه 17 تیر 1399
ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps جمعه 13 تیر 1399
نمونه سوالات زبان تخصصی برق سه شنبه 03 تیر 1399
نمونه سوالات میانترم آمار و احتمال سال 95 دانشگاه شریف سه شنبه 03 تیر 1399
کرک نرم افزار سیلواکو Silvaco 2014 (آپدیت 1399/04/2) دوشنبه 02 تیر 1399
دانلود طرح لایه باز کارت ویزیت شرکت نصب و نگهداری دوربین مدار بسته یکشنبه 01 تیر 1399
بهترین پاور بانک های موجود در بازار در سال 2020 شنبه 24 خرداد 1399
شبیه سازی مدولاتور و دمدولاتور AM در پروتئوس همراه با سورس پروژه و گزارش کامل پنجشنبه 22 خرداد 1399
پیشنهاد ما
فیلم های برتر

شبیه سازی مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/AlGaInP DJ solar cell

شبیه سازی مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/AlGaInP DJ solar cell
در این فایل، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر با عنوان Design and evaluation of ARC less InGaP/AlGaInP DJ solar cell ارائه شده است. یک فایل راهنمای جامع در قالب پی دی اف نیز جهت آموزش کدها ارائه شده است. در کنار این فایل ها، یک فایل آموزش ویدیویی با کیفیت بالا از نحوه اجرای کدها تهیه شده که به یادگیری نحوه اجرا و جواب گرفتن از نمودار های مختلف کمک می کند.

در این پژوهش، ولتاژ مدار باز بسیار بالایی در ساختار سلول خورشیدی مبتنی بر GaInP/GaAs با استفاده از نیمه هادی AlGaInP به جای GaAs بدست آمده است. زیرا این ماده شکاف باند بزرگتری نسبت به GaAs دارد. ساختار بهینه شده دارای تراکم ناخالصی 2e19 و 2e17 برای نیمه هادی های نوع p و n بوده و ضخامت نواحی p و n آن به ترتیب 0.5 و 3.0 میکرومتر می باشد. در این مقاله، سلول شبیه سازی شده با استفاده از Silvaco Atlas جهت بدست آوردن عملکرد بهتر، بهینه‌سازی شده و مقادیر ولتاژ مدار باز (VOC)، چگالی جریان اتصال کوتاه (JSC)، ضریب پری (FF) و بازده تبدیل (η) آن، محاسبه شده و نمودارهای نهایی نمایش داده شده اند.

در این مدل پارامترهای نرخ تولید نوری و میدان الکتریکی نیز مورد بررسی قرار گرفته اند. مقادیر FF، JSC ،VOC و EFF در مقاله برابر 3.347، 1.759، 90.09 و 53.51 و در فایل شبیه سازی شده برابر 3.39، 1.79، 91.03 و 53.06 بدست آمده اند که مقادیری بسیار مشابه مقادیر بدست آمده در مقاله می باشند. همچنین جهت مشاهده نمودارهای بدست آمده توسط این شبیه سازی می توانید از این لینک دیدن نمایید.