عنوان بازدید
دانلود رایگان نرم افزار سیلواکو 2014 (silvaco 2014) 181
آموزش سیستم های کنترل خطی در متلب 125
شبیه سازی مدولاتور و دمدولاتور AM در پروتئوس همراه با سورس پروژه و گزارش کامل 117
کتاب آموزش سیلواکو ATLAS - بخش مقدماتی (به زبان فارسی) 111
ترجمه مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction 109
دانلود طرح لایه باز کارت ویزیت شرکت نصب و نگهداری دوربین مدار بسته 107
کرک نرم افزار سیلواکو Silvaco 2014 (آپدیت 1399/04/2) 103
پاورپوینت آموزشی SPSS 101
نمونه سوالات میانترم آمار و احتمال سال 95 دانشگاه شریف 99
106 صفحه نمونه سوالات ریاضیات مهندسی با جواب 95
عنوان تاریخ ارسال
گزارش کار آزمایشگاه الکترونیک صنعتی یکشنبه 02 شهریور 1399
ترجمه مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction یکشنبه 05 مرداد 1399
106 صفحه نمونه سوالات ریاضیات مهندسی با جواب سه شنبه 17 تیر 1399
ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps جمعه 13 تیر 1399
نمونه سوالات زبان تخصصی برق سه شنبه 03 تیر 1399
نمونه سوالات میانترم آمار و احتمال سال 95 دانشگاه شریف سه شنبه 03 تیر 1399
کرک نرم افزار سیلواکو Silvaco 2014 (آپدیت 1399/04/2) دوشنبه 02 تیر 1399
دانلود طرح لایه باز کارت ویزیت شرکت نصب و نگهداری دوربین مدار بسته یکشنبه 01 تیر 1399
بهترین پاور بانک های موجود در بازار در سال 2020 شنبه 24 خرداد 1399
شبیه سازی مدولاتور و دمدولاتور AM در پروتئوس همراه با سورس پروژه و گزارش کامل پنجشنبه 22 خرداد 1399
پیشنهاد ما
فیلم های برتر

ترجمه مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction

The operation of hetero In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3As tunnel diodes has been evaluated, and an approach for optimizing the back surface field (BSF) layer of a InGaP/GaAs dual-junction (DJ) solar cell developed. The results show that the hetero In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3As tunnel diode transferred more electrons and holes and showed less recombination between the top and bottom cells with increased efficiency (g) in the InGaP/GaAs DJ solar cell. To achieve higher open-circuit voltage (Voc), GaAs semiconductor was investigated to match with Al0.52In0.48P with bandgap of 2.4 eV, and replacement of the bottom cell in the InGaP/GaAs DJ solar cell with such an Al0.52In0.48P–GaAs heterojunction increased the photogeneration in this region. In the next step, addition of a BSF layer to the top cell required two BSF layers in the bottom cell to optimize the short-circuit current (Jsc) and g. The thickness and doping of the BSF layers were increased to obtain the highest g for the cell. The proposed structure was then compared with previous works. The proposed structure yielded Voc = 2.46 V, Jsc = 30 mA/cm2, fill factor (FF) = 88.61%, and n = 65.51% under AM1.5 (1 sun) illumination.
ترجمه این مقاله در 22 صفحه به صورت تایپ شده در دو قالب word و PDF در پوشه فایل دانلود شده موجود است.