عنوان بازدید
شبیه سازی مدولاتور و دمدولاتور AM در پروتئوس همراه با سورس پروژه و گزارش کامل 31
ترجمه مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction 29
بهترین پاور بانک های موجود در بازار در سال 2020 29
نمونه سوالات میانترم آمار و احتمال سال 95 دانشگاه شریف 27
کرک نرم افزار سیلواکو Silvaco 2014 (آپدیت 1399/04/2) 27
دانلود طرح لایه باز کارت ویزیت شرکت نصب و نگهداری دوربین مدار بسته 27
گزارش کار آزمایشگاه الکترونیک صنعتی 25
نمونه سوالات زبان تخصصی برق 25
106 صفحه نمونه سوالات ریاضیات مهندسی با جواب 23
ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps 23
عنوان تاریخ ارسال
گزارش کار آزمایشگاه الکترونیک صنعتی یکشنبه 02 شهریور 1399
ترجمه مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction یکشنبه 05 مرداد 1399
106 صفحه نمونه سوالات ریاضیات مهندسی با جواب سه شنبه 17 تیر 1399
ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps جمعه 13 تیر 1399
نمونه سوالات زبان تخصصی برق سه شنبه 03 تیر 1399
نمونه سوالات میانترم آمار و احتمال سال 95 دانشگاه شریف سه شنبه 03 تیر 1399
کرک نرم افزار سیلواکو Silvaco 2014 (آپدیت 1399/04/2) دوشنبه 02 تیر 1399
دانلود طرح لایه باز کارت ویزیت شرکت نصب و نگهداری دوربین مدار بسته یکشنبه 01 تیر 1399
بهترین پاور بانک های موجود در بازار در سال 2020 شنبه 24 خرداد 1399
شبیه سازی مدولاتور و دمدولاتور AM در پروتئوس همراه با سورس پروژه و گزارش کامل پنجشنبه 22 خرداد 1399
پیشنهاد ما
فیلم های برتر

ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps

ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps
Abstract - The effects of doping on the performance of coaxially gated carbon nanotube (CNT) field-effect transistors for both zero Schottky-barrier (SB) and doped carbon nanotube contacts are theoretically investigated. For ultrascaled CNTFETs in which the source/drain metal contacts lie 50 nm apart, there is no MOSFET-like contact CNTFET (C-CNTFET) with an acceptable on/off current ratio using a CNT of diameter >= 1.5 nm and a source/drain voltage >= 0.4 V. For CNTFETs with source/drain metal contacts either 50 nm or 100 nm apart, there is an optimal doping concentration of 1e-3 dopants per atom. The maximum on/off current ratios for the 50 nm CNT/5 nm gate and the 100 nm CNT/10 nm gate SB-CNTFETs are 5e4 and 6e5, respectively. Performance metrics of delay time, cutoff frequency, and LC frequency are presented and compared.

این مقاله در 20 صفحه با کیفیت بسیار عالی به فارسی ترجمه شده و در دو قالب word و pdf برای دانلود آماده شده است.