سیلواکو http://electron360.ir 2017-11-21T04:07:48+01:00 text/html 2017-11-07T07:38:34+01:00 electron360.ir ه آ مقاله ترجمه شده: ترانزیستور بدون پیوند تونلی با شیب زیرآستانه کم http://electron360.ir/post/2 <h3 style="text-align: justify; box-sizing: border-box; font-weight: 500; line-height: 1.1; margin-top: 5px; margin-bottom: 10px; font-size: 21px;"><span style="box-sizing: border-box; color: rgb(255, 102, 0);"><font face="Mihan-Iransans">ترانزیستور بدون پیوند تونلی</font></span></h3><p style="box-sizing: border-box; margin: 0px 0px 10px; font-size: 17px;"></p><div style="text-align: justify;"><span style="font-family: Mihan-Iransans;">در این محصول مقاله‌ای با "عنوان ترانزیستور بدون پیوند تونلی با شیب زیر آستانه کم" را برایتان ترجمه کرده‌ایم. این مقاله یکی از معروف‌ترین این مقالات در زمینه ترانزیستورهای بدون پیوند تونلی است.</span></div><font face="Mihan-Iransans"><div style="text-align: justify;"><a href="http://s8.picofile.com/file/8276076100/2013_A_junctionless_tunnel_field_effect_transistor_with_low_subthreshold.pdf.html" style="background-color: transparent; box-sizing: border-box; text-decoration-line: none; color: rgb(0, 0, 0) !important;"><span style="box-sizing: border-box; color: rgb(255, 102, 0);">دانلود مقاله انگلیسی</span></a></div></font><p></p><p style="text-align: justify; box-sizing: border-box; margin: 0px 0px 10px; font-size: 17px;"><font face="Mihan-Iransans">&nbsp;</font></p><p style="text-align: justify; box-sizing: border-box; margin: 0px 0px 10px; font-size: 17px;"><font face="Mihan-Iransans">آنچه که بعد از خرید در اختیارتان قرار می گیرد:&nbsp;<span style="box-sizing: border-box;">1. فایل WORD فارسی مقاله</span>،&nbsp;<span style="box-sizing: border-box;">2. فایل PDF فارسی مقاله</span>،&nbsp;<span style="box-sizing: border-box;">3. فایل انگلیسی مقاله</span></font></p><p style="text-align: justify; box-sizing: border-box; margin: 0px 0px 10px; font-size: 17px;"><font face="Mihan-Iransans">&nbsp;</font></p><h3 style="text-align: justify; box-sizing: border-box; font-weight: 500; line-height: 1.1; margin-top: 5px; margin-bottom: 10px; font-size: 21px;"><span style="box-sizing: border-box; color: rgb(128, 128, 0);"><font face="Mihan-Iransans">نمونه ترجمه:</font></span></h3><p style="text-align: justify; box-sizing: border-box; margin: 0px 0px 10px; font-size: 17px;"><span style="box-sizing: border-box; color: rgb(51, 51, 0);"><font face="Mihan-Iransans"><span style="box-sizing: border-box; color: rgb(255, 0, 0);"><span style="box-sizing: border-box; font-weight: 700;">چکیده:</span></span>&nbsp;در این مقاله طرح یک ترانزیستور n کانالی با سه گیت را مطرح کرده‌ایم. که آن را ترانزیستور اثر میدانی بدون پیوند می‌نامیم (JLTFET). JLTFET یک ترانزیستور بدون پیوند کاملاً آلایش یافته است. که با محدود کردن مانع بین منبع و کانال دستگاه برای روشن و خاموش کردن افزاره از مفهوم تونل زنی استفاده می‌کند. شبیه سازی نشان می‌دهد که نسبت I<span style="box-sizing: border-box; position: relative; font-size: 12.75px; line-height: 0; vertical-align: baseline; bottom: -0.25em;">ON</span>/I<span style="box-sizing: border-box; position: relative; font-size: 12.75px; line-height: 0; vertical-align: baseline; bottom: -0.25em;">OFF</span>&nbsp;و شیب آستانه این نوعع ترانزیستورر در مقایسه با ترانزیستور ساده بدون پیوند با اثر میدانی پیشرفت قابل توجهی دارد.</font></span></p><p style="text-align: justify; box-sizing: border-box; margin: 0px 0px 10px; font-size: 17px;"><font face="Mihan-Iransans">در این جا، ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی بدون پیوند را با دی الکتریک با ضریب بالا و پاینن را از طریق شبیه سازی بررسی میکنیم. و جریان روشنایی ۰٫۲۵ mA/um را برای ولتاژ گیت ۲V و جریان خاموشی ۳ pA/um (با صرفه نظر کردن از نشتی گیت) به دست آورده‌ایم. بعلاوه، دستگاه پیشنهادی با نسبت ۱۰<span style="box-sizing: border-box; position: relative; font-size: 12.75px; line-height: 0; vertical-align: baseline; top: -0.5em;">۹</span>&nbsp;عملکرد بهینه‌ای را در I<span style="box-sizing: border-box; position: relative; font-size: 12.75px; line-height: 0; vertical-align: baseline; bottom: -0.25em;">ON</span>/I<span style="box-sizing: border-box; position: relative; font-size: 12.75px; line-height: 0; vertical-align: baseline; bottom: -0.25em;">OFF</span>&nbsp;از خود نشان داده است. علاوه بر این، در JLTFETT شبیهه سازی شده در دمای اتاق، برای دروازه‌ای با طول ۵۰ nm شیب زیرآستانه ۴۷ mV/dec به دست آمده است، که نشان می‌دهد JLTFETTT یک جایگزین نویدبخش برای عملکرد سوئیچینگ است.</font></p><p style="text-align: justify; box-sizing: border-box; margin: 0px 0px 10px; font-size: 17px;"><font face="Mihan-Iransans"><span style="box-sizing: border-box; color: rgb(255, 0, 0);"><span style="box-sizing: border-box; font-weight: 700;">کلیدواژه‌ها:</span>&nbsp;</span>FET تونلی بدون پیوند (JLTFET). تونل زنی باند به باند (BTBT). شیب زیرآستانه. دی الکتریک High-K.</font></p><p style="text-align: justify; box-sizing: border-box; margin: 0px 0px 10px; font-size: 17px;"><font face="Mihan-Iransans">&nbsp;</font></p>