کاربر عزیز خوش آمدید!
|

شبیه سازی مدولاتور و دمدولاتور AM در پروتئوس همراه با سورس پروژه و گزارش کامل

شبیه سازی مدولاتور و دمدولاتور AM در پروتئوس همراه با سورس پروژه و گزارش کامل
این پست به بررسی بخش مدولاسیون از درس مدارهای مخابراتی می پردازد که از جمله درس های اصلی رشته مهندسی برق در گرایش های الکترونیک و مخابرات است. پیچیدگی بالای مفاهیم درس از یک سو و فرصت محدود ارائه درس در دانشگاه از سوی دیگر، سبب می شود که دانشجویان در درک مطالب با مشکل مواجه شوند. در این آموزش و شبیه سازی تلاش شده است تا مفاهیم به همراه تصاویر و مثال های مختلف تحلیل شوند و با استفاده از بیان شیوا، ابهامات دانشجویان کاسته شود. همچنین مدارهای مربوط به مدولاتور و دمدولاتور AM در نرم افزار پرتئوس شبیه سازی شده و در قالب یک فایل PDF تحلیل شده اند. 

تعداد صفحات: 17
فرمت فایل گزارش: PDF

دانلود گزارش کار آزمایشگاه سیستم های کنترل خطی

دانلود گزارش کار آزمایشگاه سیستم های کنترل خطی
فهرست مطالب:
تابع تبدیل
تجزیه تابع تبدیل
معکوس تابع لاپلاس
رسم یک تابع روی نمودار
رسم بخش حقیقی و موهومی یک تابع
رسم یک تابع با دستور ezsurf و mesh
ساده سازی بلوک دیاگرام
تولید توابع تبدیل با شرایط خاص
پاسخ پله سیستم
پاسخ ضربه سیستم
رسم نمودار مکان هندسی ریشه های یک سیستم
دیاگرام بَد (bode)
دیاگرام نایکوییست (nyquist)
مدلسازی و شبیه سازی یک سیستم در سیمولینک (Simulink)
بدست آوردن پاسخ پله و ضربه یک سیستم در سیمولینک
بدست آوردن تابع تبدیل با دستور linmod

این گزارش کار در قالب PDF و در 28 صفحه جهت دانلود ارائه شده است. همچنین همراه این گزارش، فایل های مربوط به شبیه سازی ها در MATLAB جهت استفاده شما عزیزان قرار داده شده اند. 

شبیه سازی مقاله A thin layer of Carbon Nano Tube (CNT) as semi-transparent charge collector that improve the performance of the GaAs Solar Cell با سیلواکو

شبیه سازی مقاله A thin layer of Carbon Nano Tube (CNT) as semi-transparent charge collector that improve the performance of the GaAs Solar Cell با سیلواکو
استفاده از نانو لوله های کربنی (CNT) در سلول های خورشیدی به عنوان یکی از امیدوارکننده ترین زمینه های تحقیق برای بهبود کارایی آن به شمار می رود. اخیراً نشان داده شده که شبکه های ناهمگن CNT ها می توانند به عنوان یک رسانای نیمه شفاف عمل کنند. این خاصیت منحصر به فرد برای استفاده در سلول های خورشیدی منجر به بهبود بازدهی سلول می شود. استفاده از CNT در لایه بالا می تواند به طور فابل توجهی ناحیه تماس فلز کانتکت ها را به سطح سلول کاهش دهد و همچنین این مواد دارای هدایت بیشتری نسبت به سایر مواد نیمه هادی هستند. CNT ها دارای خواص ساختاری و الکتریکی فابل توجهی هستند که می توانند در بسیاری از برنامه ها مورد استفاده قرار گیرند. 
نتایج بدست آمده در شبیه سازی ها:
with CNT:
------------------
JscmAcm2=31.4136 
Voc=1.03865 
FF=87.7959 
Eff=28.6352 


without CNT:
------------------
JscmAcm2=30.2208 
Voc=1.03319 
FF=87.7061 
Eff=27.3751 

شبیه سازی مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction در silvaco

شبیه سازی مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction در silvaco
در این پژوهش از یک دیود تونلی In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3 استفاده شده و با کمک یک رویکرد بهینه سازی لایه BSF، یک سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs توسعه یافته است. نتایج نشان می دهند که دیود تونلی In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3 انتقال الکترونها و حفره های بیشتری را نشان می دهد و منجر به بازترکیب کمتری بین سلول های بالا و پایین شده و راندمان سلول خورشیدی دو پیوند را افزایش می دهد. برای دستیابی به ولتاژ مدار باز (VOC) بالاتر، از نیمه هادی GaAs برای تطبیق با Al0.52In0.48P با شکاف باند 2.4eV استفاده شده است. این ماده در سلول پایینی به کار گرفته شده و عملکرد هتروجانکشن Al0.52In0.48P–GaAs منجر به افزایش نرخ تولید نوری افزاره در این ناحیه شده است. ساختار پیشنهادی تحت تابش AM1.5G در سیلواکو (Silvaco) شبیه سازی شده و نتایج بدست آمده به صورت زیر می باشند: 

JscmAcm2=31.8491 
Voc=2.52557 
FF=86.291 
Eff=66.3189 

همچنین در این شبیه سازی نمودارهای شکاف باند، طیف AM1.5G، مش بندی، ساختار، نرخ تولید نوری و نمودارهای جریان - ولتاژ بدست آمده اند. 

شبیه سازی مقاله Design and optimization of ARC less InGaP-GaAs single--multi-junction solar cells with tunnel junction and back surface field layers

شبیه سازی مقاله Design and optimization of ARC less InGaP/GaAs single-/multi-junction solar cells with tunnel junction and back surface field layers
در عصر حاضر، استفاده از انرژی های نو علی الخصوص انرژی خورشیدی، به طور چشم گیری افزایش یافته است. از آنجا که انجام آزمایشات لازم در خصوص بهبود و بهینه سازی سلول های خورشیدی بسیار پر هزینه اند، قبل از انجام این آزمایشات از شبیه سازی های کامپیوتری جهت رسیدن به بازده بالاتر استفاده می شود. زیرا این روش بسیار کم هزینه تر بوده و در وقت و انرژی نیز صرفه جویی می شود. نرم افزار سیلواکو یکی از نرم افزارهای بسیار عالی برای شبیه سازی این نوع از ادوات می باشد. 
شبیه سازی سلول خورشیدی در سیلواکو، نیازمند انجام تحلیل­ های الکتریکی و نوری مختلفی است و این نرم افزار به دلیل دارا بودن کتابخانه ای قدرتمند از مواد و مدلهای الکتریکی و نوری، به طور خاص برای انجام این کار استفاده می شود. 
در صورتیکه یک نیمه هادی نوع  n در کنار نیمه هادی دیگری از نوع p قرار گیرد؛ یک پیوند p-n تشکیل می شود و الکترونهای سمت n  به سمت p رفته و حفره‌ها نیز در جهت عکس حرکت الکترون‌ها حرکت می کنند. در این میان، در ناحیه مرزی این دو نیمه هادی، ناحیه تخلیه به وجود می آید. این ناحیه خالی از هر نوع حاملی است. در این حالت در لبه مرز در سمت نیمه هادی نوع n، اتم‌ها الکترون‌های خود را از دست داده‌اند و یون‌های مثبت تشکیل شده است. در سمت p نیز با انتقال حفره‌ها، یون‌های منفی به جا مانده‌اند، بنابراین یک میدان الکتریکی بین یون‌های مثبت و منفی بوجود می‌آید. بزرگتر شدن این ناحیه در اثر عوامل مختلف، مانع از انتقال بیشتر حامل‌های جریان می‌شود. 
در این پست شبیه سازی یک مقاله با عنوان Design and optimization of ARC less InGaP/GaAs single-/multi-junction solar cells with tunnel junction and back surface field layers که در سال 2018 در ژورنال Superlattices and Microstructures که یک ژورنال بسیار معتبر در زمینه ادوات نوری و الکتریکی می باشد ارائه شده است. نتایج شبیه سازی های انجام شده بسیار مشابه آنچه در مقاله ذکر شده اند می باشند و از دقت بسیار بالایی برخوردارند. نتایج بدست آمده به شرح زیر می باشند:
InGaP SJSC
---------------------------
JscmAcm2=20.1579 
Voc=1.41568 
FF=84.8897 
Eff=17.7449 

GaAs SJSC
---------------------------
JscmAcm2=34.2686 
Voc=1.02644 
FF=88.2007 
Eff=22.7253 

InGaP/GaAs DJSC
---------------------------
JscmAcm2=14.1974 
Voc=2.42066 
FF=91.5219 
Eff=23.0396 

TJ=InGaP
---------------------------
JscmAcm2=15.8448 
Voc=2.42361 
FF=91.1076 
Eff=25.6278 

TJ=GaAs
---------------------------
JscmAcm2=14.1974 
Voc=2.42066 
FF=91.5219 
Eff=23.0396 

TJ=AlGaAs
---------------------------
JscmAcm2=15.4834 
Voc=2.42305 
FF=91.2129 
Eff=25.0664 

TJ=---
---------------------------
JscmAcm2=19.2805 
Voc=1.17547 
FF=74.7739 
Eff=12.4133 

BSF=AlInGaP
---------------------------
JscmAcm2=20.77 
Voc=2.43073 
FF=86.5752 
Eff=32.0165 

تماس با ما
سفارش پروژه
شبکه اجتماعی فارسی کلوب | Buy Website Traffic | Buy Targeted Website Traffic