کاربر عزیز خوش آمدید!
|

شبیه سازی مقاله Design and optimization of ARC less InGaP-GaAs single--multi-junction solar cells with tunnel junction and back surface field layers

شبیه سازی مقاله Design and optimization of ARC less InGaP/GaAs single-/multi-junction solar cells with tunnel junction and back surface field layers
در عصر حاضر، استفاده از انرژی های نو علی الخصوص انرژی خورشیدی، به طور چشم گیری افزایش یافته است. از آنجا که انجام آزمایشات لازم در خصوص بهبود و بهینه سازی سلول های خورشیدی بسیار پر هزینه اند، قبل از انجام این آزمایشات از شبیه سازی های کامپیوتری جهت رسیدن به بازده بالاتر استفاده می شود. زیرا این روش بسیار کم هزینه تر بوده و در وقت و انرژی نیز صرفه جویی می شود. نرم افزار سیلواکو یکی از نرم افزارهای بسیار عالی برای شبیه سازی این نوع از ادوات می باشد. 
شبیه سازی سلول خورشیدی در سیلواکو، نیازمند انجام تحلیل­ های الکتریکی و نوری مختلفی است و این نرم افزار به دلیل دارا بودن کتابخانه ای قدرتمند از مواد و مدلهای الکتریکی و نوری، به طور خاص برای انجام این کار استفاده می شود. 
در صورتیکه یک نیمه هادی نوع  n در کنار نیمه هادی دیگری از نوع p قرار گیرد؛ یک پیوند p-n تشکیل می شود و الکترونهای سمت n  به سمت p رفته و حفره‌ها نیز در جهت عکس حرکت الکترون‌ها حرکت می کنند. در این میان، در ناحیه مرزی این دو نیمه هادی، ناحیه تخلیه به وجود می آید. این ناحیه خالی از هر نوع حاملی است. در این حالت در لبه مرز در سمت نیمه هادی نوع n، اتم‌ها الکترون‌های خود را از دست داده‌اند و یون‌های مثبت تشکیل شده است. در سمت p نیز با انتقال حفره‌ها، یون‌های منفی به جا مانده‌اند، بنابراین یک میدان الکتریکی بین یون‌های مثبت و منفی بوجود می‌آید. بزرگتر شدن این ناحیه در اثر عوامل مختلف، مانع از انتقال بیشتر حامل‌های جریان می‌شود. 
در این پست شبیه سازی یک مقاله با عنوان Design and optimization of ARC less InGaP/GaAs single-/multi-junction solar cells with tunnel junction and back surface field layers که در سال 2018 در ژورنال Superlattices and Microstructures که یک ژورنال بسیار معتبر در زمینه ادوات نوری و الکتریکی می باشد ارائه شده است. نتایج شبیه سازی های انجام شده بسیار مشابه آنچه در مقاله ذکر شده اند می باشند و از دقت بسیار بالایی برخوردارند. نتایج بدست آمده به شرح زیر می باشند:
InGaP SJSC
---------------------------
JscmAcm2=20.1579 
Voc=1.41568 
FF=84.8897 
Eff=17.7449 

GaAs SJSC
---------------------------
JscmAcm2=34.2686 
Voc=1.02644 
FF=88.2007 
Eff=22.7253 

InGaP/GaAs DJSC
---------------------------
JscmAcm2=14.1974 
Voc=2.42066 
FF=91.5219 
Eff=23.0396 

TJ=InGaP
---------------------------
JscmAcm2=15.8448 
Voc=2.42361 
FF=91.1076 
Eff=25.6278 

TJ=GaAs
---------------------------
JscmAcm2=14.1974 
Voc=2.42066 
FF=91.5219 
Eff=23.0396 

TJ=AlGaAs
---------------------------
JscmAcm2=15.4834 
Voc=2.42305 
FF=91.2129 
Eff=25.0664 

TJ=---
---------------------------
JscmAcm2=19.2805 
Voc=1.17547 
FF=74.7739 
Eff=12.4133 

BSF=AlInGaP
---------------------------
JscmAcm2=20.77 
Voc=2.43073 
FF=86.5752 
Eff=32.0165 

شبیه سازی مقاله IMPACT OF TUNNEL HETEROJUNCTION (InGaP/GaAs) DOPING CONCENTRATION ON THE PERFORMANCE OF InGaP/GaAs TONDEM SOLAR CELL USING SILVACO-ATLAS SOFTWARE

شبیه سازی مقاله IMPACT OF TUNNEL HETEROJUNCTION (InGaP/GaA) DOPING CONCENTRTION ON THE PERFORMANCE OF InGaP/GaAs TONDEM SOLAR CELL USING SILVACO-ATL
در این پست، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر با عنوان IMPACT OF TUNNEL HETEROJUNCTION (InGaP/GaA) DOPING CONCENTRTION ON THE PERFORMANCE OF InGaP/GaAs TONDEM SOLAR CELL USING SILVACO-ATLAS SOFTWARE که اخیراً در سال 2019 به چاپ رسیده ارائه شده است. 
در این پژوهش تأثیر دوپینگ ناحیه تونلی ناهمگن در سلولهای خورشیدی تاندم بررسی شده است. پیوند تونلی (InGaP/GaAs) برای سلولهای خورشیدی چند پیوند (InGaP/GaAs) جهت تعیین عملکرد الکتریکی آنها به عنوان تابعی از غلظت دوپینگ تونل مورد مطالعه قرار گرفته است. در این مقاله، طراحی سلول خورشیدی InGaP/GaAs با استفاده از پیوند تونلی ناهمگونی با غلظت آلایش p--InGaP متفاوت گزارش شده و این میزان غلظت در محدوده e19-e20 می باشد. نتایج این تحقیق نشان داده که غلظت آلایش n-InGaP بر راندمان تبدیل، تراکم جریان اتصال کوتاه و ولتاژ مدار باز تأثیر دارد.
پس از انجام شبیه سازی ها، مقادیر 
Jsc=1.47026e-010 
Voc=2.42184 
FF=91.4446 
Eff=23.8509 
بدست آمده اند که نتایجی مشابه آنچه در مقاله درج شده است را نشان می دهند. 

جزوه ریاضی 2 دکتر فتوحی

جزوه ریاضی 2 استاد فتوحی

ریاضی 2 یکی از دروس بسیار مهم و پایه ای می باشد که برای درک سایر دروس بسیار ضروری است. از آنجایی که وابستگی دروس برخی رشته ها از جمله برق به ریاضی بسیار بالاست در نتیجه به یک جزوه و کتاب خوب در این زمینه نیازمندیم که بتواند مطالب را به خوبی آموزش دهد. در این پست یک جزوه بسیار عالی در 351 صفحه جهت دانلود قرار داده شده و فهرست عناوین مندرج در آن به شرح زیر می باشد:

تعریف اعداد حقیقی R - آشنایی با توابع چند متغیره و خواص -  جمع بردارها - ضرب اسکالر - دید هندسی - خواص جمع و ضرب اسکالر - تعریف طول بردار (فرم اقلیدسی) - روش تشخیص خطوط موازی -  خطوط متقاطع - تعریف زاویه - خواص ضرب داخلی - قضیه فیثاغورس - پیدا کردن فاصله یک نقطه تا خط - ضرب خارجی دو بردار - تعریف صفحه و نحوه نوشتن معادله جبری - صفحات متقاطع - پیدا کردن فاصله یک نقطه تا صفحه - فاصله دو خط متنافر - راستای عمود بر دو خط - جبر خطی - استقلال خطی - تعریف زیر فضا - تبدیل خطی – نگاشت - فضای پوچ - قضیه رتبه - زیرفضای مستوی - الگوریتم گرام اشمیت - عملگر تصویر بر صفحه - عملگر تصویر بر زیرفضای k بعدی - الگوریتم گرام اشمیت برای زیرفضای k بعدی – تعیین فاصله دو صفحه – دو صفحه متنافر – فاصله دو صفحه متنافر – دترمینان – خواص دترمینان – تعریف حجم – ماتریس ترانهاده – خمهای درجه 2 در صفحه – سطوح درجه 2 در فضا (حالت ساده، بیضی گون، هذلولی گون، مخروط، سهمی گون، سهمی هذلولی) – مقدار ویژه – بردار یکه – ماتریس قطری – ماتریس متقارن – توابع برداری و منحنی ها – فصل مشترک دو سطح – تعریف مشتق – خواص مشتق – طول خم – طول نمودار تابع مشتق پذیر – پرمایش بر حسب طول – مماس یکه – انحنا برحسب t – قضیه اساسی خم ها -  تساوی کوشی شوارتز – بردار قائم – تعریف انحنا – معادلات فرنه سره – تاب خم – مارپیچ – محاسبه انحنا و تاب برحسب زمان – توابع چند متغیره – تصویر تابع روی مجموعه های خاص – مجموعه های تراز – حد و پیوستگی – مشتق – مشتق جهت دار – مشتق جزئی – تقریب خطی تابع به کمک مشتق – محاسبه ماتریس مشتق – تابع مشتق پذیر – خواص مشتق – مشتقات مراتب بالاتر – قضیه جابجایی مشتق های جزیی – نظریه تقریب – تقریب خطی تیلور – چند جمله ای تیلور مرتبه 2 – بررسی سطوح تراز – گرادیان – تابع ضمنی – تابع وارون – مختصات قطبی در صفحه = مختصات کروی – مختصات استوانه ای – مسائل بهینه سازی – اکسترمم – نقاط بحرانی – نقاط مرزی – نقاط ماکسیمم و مینیمم – تابع لاگرانژین – کاربردهای مشتق (بهینه سازی) – انتگرال – انتگرال تابع دو متغیره – تقریب حجم زیر نمودار – انتگرال تابع سه متغیره – خواص انتگرال – قضیه مقدار میانگین – تعریف همبندی – محاسبه انتگرال – خاصیت فوبینی – انتگرال های مجازی – تابع بیکران و دامنه کران دار – تغییر متغیر در انتگرال – تغییر متخصات به قطبی – تغییر مختصات به استوانه ای – تغییر مختصات به کروی – مساحت رویه – مساحت سهمی گون هذلولی – رویه هموار – مساحت کره – انتگرال یک تابع روی رویه – انتگرال روی خم – مساحت جانبی تقاطع دو استوانه – میدان برداری – میدان گرادیان – قضیه گرین – تعریف شار – قضیه استوکس – قضیه دیورژانس

66 نمونه سوال سیگنال و سیستم

نمونه سوالات سیگنال و سیستم

سیگنال ها و سیستم ها یکی از دروس سه واحدی و مهم رشته برق می باشد. در این پست، نمونه سوالات تشریحی سیگنال ها و سیستم های دانشگاه گیلان را جهت دانلود قرار داده ایم. 
تعداد سوالات: 66

آشنایی با چند ماده با شکاف باند پهن

آشنایی با چند ماده با شکاف باند پهن

مواد با شکاف باند پهن در 10 سال گذشته به دلیل کاربرد های الکترونیکی و اپتو الکترونیکی مورد توجه بسیاری قرار گرفته اند. دلیل این علاقه، خواص متفاوت مواد نسبت به سیلیکون است و بیشتر در الکترونیک کاربرد دارند. نیمه هادی های ترکیبی گروه 3 و 5 معمولاً دارای شکاف باندی در محدوده 1eV تا 6eV می باشند. این شکاف باند بسیار بزرگ برای دیودهای نوری (LED) طول موج کوتاه و برای کاربردهای الکترونیکی که توان بالا، ولتاژ شکست بالا و مقاومت در برابر درجه حرارت بالا مورد نیاز باشد مفید است. نیمه هادی های با شکاف باند پهن همچنین در فرکانس های رادیویی (RF) به دلیل انتقال سریع حاملشان به علت غلظت الکترونی ذاتی بالای آنها که 2DEG نامیده می شوند استفاده می شوند.
این تحقیق که در 4 صفحه و در قالب فایل ورد فراهم شده بطور مختصر به معرفی موادی مانند InGaN، InAlN، AlGaN، InN، AlN، GaN و SiC می پردازد. 

تماس با ما
سفارش پروژه
شبکه اجتماعی فارسی کلوب | Buy Website Traffic | Buy Targeted Website Traffic