عنوان بازدید
دانلود رایگان نرم افزار سیلواکو 2014 (silvaco 2014) 129
آموزش سیستم های کنترل خطی در متلب 105
ترجمه مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction 95
دانلود طرح لایه باز کارت ویزیت شرکت نصب و نگهداری دوربین مدار بسته 91
شبیه سازی مدولاتور و دمدولاتور AM در پروتئوس همراه با سورس پروژه و گزارش کامل 91
کتاب آموزش سیلواکو ATLAS - بخش مقدماتی (به زبان فارسی) 91
پاورپوینت آموزشی SPSS 83
نمونه سوالات میانترم آمار و احتمال سال 95 دانشگاه شریف 81
106 صفحه نمونه سوالات ریاضیات مهندسی با جواب 79
کرک نرم افزار سیلواکو Silvaco 2014 (آپدیت 1399/04/2) 79
عنوان تاریخ ارسال
گزارش کار آزمایشگاه الکترونیک صنعتی یکشنبه 02 شهریور 1399
ترجمه مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction یکشنبه 05 مرداد 1399
106 صفحه نمونه سوالات ریاضیات مهندسی با جواب سه شنبه 17 تیر 1399
ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps جمعه 13 تیر 1399
نمونه سوالات زبان تخصصی برق سه شنبه 03 تیر 1399
نمونه سوالات میانترم آمار و احتمال سال 95 دانشگاه شریف سه شنبه 03 تیر 1399
کرک نرم افزار سیلواکو Silvaco 2014 (آپدیت 1399/04/2) دوشنبه 02 تیر 1399
دانلود طرح لایه باز کارت ویزیت شرکت نصب و نگهداری دوربین مدار بسته یکشنبه 01 تیر 1399
بهترین پاور بانک های موجود در بازار در سال 2020 شنبه 24 خرداد 1399
شبیه سازی مدولاتور و دمدولاتور AM در پروتئوس همراه با سورس پروژه و گزارش کامل پنجشنبه 22 خرداد 1399
پیشنهاد ما
فیلم های برتر

ترجمه مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction

The operation of hetero In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3As tunnel diodes has been evaluated, and an approach for optimizing the back surface field (BSF) layer of a InGaP/GaAs dual-junction (DJ) solar cell developed. The results show that the hetero In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3As tunnel diode transferred more electrons and holes and showed less recombination between the top and bottom cells with increased efficiency (g) in the InGaP/GaAs DJ solar cell. To achieve higher open-circuit voltage (Voc), GaAs semiconductor was investigated to match with Al0.52In0.48P with bandgap of 2.4 eV, and replacement of the bottom cell in the InGaP/GaAs DJ solar cell with such an Al0.52In0.48P–GaAs heterojunction increased the photogeneration in this region. In the next step, addition of a BSF layer to the top cell required two BSF layers in the bottom cell to optimize the short-circuit current (Jsc) and g. The thickness and doping of the BSF layers were increased to obtain the highest g for the cell. The proposed structure was then compared with previous works. The proposed structure yielded Voc = 2.46 V, Jsc = 30 mA/cm2, fill factor (FF) = 88.61%, and n = 65.51% under AM1.5 (1 sun) illumination.
ترجمه این مقاله در 22 صفحه به صورت تایپ شده در دو قالب word و PDF در پوشه فایل دانلود شده موجود است.

ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps

ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps
Abstract - The effects of doping on the performance of coaxially gated carbon nanotube (CNT) field-effect transistors for both zero Schottky-barrier (SB) and doped carbon nanotube contacts are theoretically investigated. For ultrascaled CNTFETs in which the source/drain metal contacts lie 50 nm apart, there is no MOSFET-like contact CNTFET (C-CNTFET) with an acceptable on/off current ratio using a CNT of diameter >= 1.5 nm and a source/drain voltage >= 0.4 V. For CNTFETs with source/drain metal contacts either 50 nm or 100 nm apart, there is an optimal doping concentration of 1e-3 dopants per atom. The maximum on/off current ratios for the 50 nm CNT/5 nm gate and the 100 nm CNT/10 nm gate SB-CNTFETs are 5e4 and 6e5, respectively. Performance metrics of delay time, cutoff frequency, and LC frequency are presented and compared.

این مقاله در 20 صفحه با کیفیت بسیار عالی به فارسی ترجمه شده و در دو قالب word و pdf برای دانلود آماده شده است.

ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations

ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations

An analytical, visual and open source model based on solving the rate equations for InGaN/GaN single quantum well (QW) lasers has been carried out. In the numerical computations, the fourth-order Runge–Kutta method has been used for solving the differential rate equations. The rate equations which have been considered in this simulation include the two level rate equations for the well and separate confinement heterostructure (SCH) layers. We present a new and inexpensive modeling method with analytical, visual and open source capabilities to investigate and comprehend the QW laser characteristics such as time behavior of carriers in SCHs and QW, photon density, output power and gain, and also the output power versus current which presents the threshold current of the laser. The characteristics of the QW lasers, which include laser time response (P–t), turn-on delay time of lasing and output power–current (P–I) characteristic and related features such as threshold current and slope efficiency have been investigated. Our model accurately computes the P–t and P–I characteristics such as turn-on delay time, threshold current and slope efficiency, and also illustrates the effects of parameters such as the injection current and geometry.

فایل ترجمه در قالب ورد و شامل 18 صفحه می باشد. 

تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology

تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology

مفهوم مهندسی بندگپ در نیمه هادی های مرکب نظیر گالیم آرسناید (GaAs) و ایندیم فسفات (InP) بکار گرفته شده است، تا بتوان به دسته ای از افزاره های الکترونیکی نوین دست یافت. یک ترانزیستور مهندسی بندگپ شده از نظر ساختاری به گونه ای تغییر یافته تا بتوان استاندارد های بخصوصی از افزاره را بهبود داد (مانند سرعت). یک طراح ترانزیستور ممکن است که تصمیم به ساخت ترانزیستوری با بیس و کلکتوری از جنس GaAs ولی امیتری از جنس AlGaAs بگیرد. چنین افزاره ای دارای خصوصیات الکتریکی است که ذاتاً بسیار بهتر از آن چیزی است که می توان تنها با استفاده از یک نوع نیمه هادی دست یافت. همچنین برای ترکیب دو ماده متفاوت مهندسی بندگپ گاهاً شامل یک شیب ساختاری از ماده درون افزاره می شود. برای مثال: فردی ممکن است در نظر بگیرد که تابع مول  آلومینیوم موجود در یک ترانزیستور AlGaAs/GaAs را در طول امیتر از 0.4 تا 0.6 متغیر در نظر بگیرد. طراحان افزاره در این جست و جو بوده اند که تکنیک های مهندسی بندگپ مورد استفاده در تکنولوژی نیمه هادی هادی مرکب را با بلوغ ساخت، عملکرد بالا و هزینه پایین مربوط به سیلیکون معمول مورد استفاده در صنعت مدار مجتمع ترکیب کنند. آلیاژ سیلیکون – ژرمانیوم همبافته، پتانسیل قابل توجهی برای تحقق بخشیدن به ترانزیستور های مهندسی بندگپ شده در سیستم مواد سیلیکونی از خود نشان می دهد. اهمیت این موضوع از آن جهت است که می تواند این اجازه را به افزاره های سیلیکونی داد که عملکردی داشته باشند که زمانی تصور می شد غیر ممکن است. به این ترتیب تعداد مدارهای پربازده که از تکنولوژی سیلیکونی استفاده می کنند را نیز چند برابر کند. این فصل که به مرور پیشرفت های اخیر در تکنولوژی ترانزیستور های نا متجانس دو قطبی (HBT) یا اثر میدانی (HFet) از جنس SiGe می پردازد، بطور کامل در 16 صفحه به فارسی ترجمه شده است و در قالب ورد برای دانلود ارائه شده است. 

ترجمه مقاله A novel efficient double junction InGaP/GaAs solar cell using a thin carbon nano tube layer

ترجمه مقاله A novel efficient double junction InGaP/GaAs solar cell using a thin carbon nano tube layer
Abstract - Using the two dimensional device simulator Silvaco Atlas, the photovoltaic characteristics of a double junction InGaP/GaAs solar cell [J.P. Dutta, et al., Optik. Int. J. Light Electron Opt. (2016)], were numerically simulated. In this work, the performance of double junction InGaP/GaAs solar cell is modified by adding a thin Carbon Nano tubes film. It was predicted that by adding a 110 nm thin carbon nano tubes film on the surface of the cell, the efficiency would be modified and would increase from 40.879% to 41.95%. Finally, the performances of the cell before and after the addition of the CNT thin film were compared.

چکیده - با استفاده از شبیه ساز افزاره دو بعدی silvaco atlas، مشخصه های فتوولتاییک یک سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs شبیه سازی عددی شده است. در این کار، عملکرد سلول خورشیدی InGaP/GaAs دو پیوند با اضافه کردن یک لایه نانو لوله کربنی نازک اصلاح شده است. پیش بینی شده که با اضافه کردن یک لایه نانو لوله کربنی نازک 110 نانومتری روی سطح سلول، بازده تغییر خواهد کرد و از 40.879% به 41.95% افزایش خواهد یافت. در نهایت، عملکرد سلول قبل و بعد از اضافه کردن لایه نازک CNT  مقایسه شد. 

تعداد صفحات: 10
فرمت: docx و pdf


ترجمه مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer

ترجمه مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer

An effective and optimised BSF layer is an important layer in both single junction and multijunction solar cells. In this work the use of the double layer BSF for top cell with their varied thicknesses is investigated on GaInP/GaAs DJ solar cell using the computational numerical modelling TCAD tool Silvaco ATLAS. The detail photo-generation rates are determined. The major modelling stages are described and the simulation results are validated with published experimental data in order to describe the accuracy of our results produced. For this optimized cell structure, the maximum Jsc ¼ 17.33 mA/cm2, Voc ¼ 2.66 V, and fill factor (FF) ¼ 88.67% are obtained under AM1.5G illumination, exhibiting a maximum conversion efficiency of 34.52% (1 sun) and 39.15% (1000 suns).

یک لایه BSF بهینه سازی شده و کارآمد مهمترین لایه سلول های خورشیدی تک پیوندی و دو پیوندی می باشد. در این کار استفاده از دو لایه BSF برای سلول بالایی با ضخامت های مختلف روی سلول خورشیدی دو پیوندی GaInP/GaAs با استفاده از محاسبات مدلسازی عددی در سیلواکو بررسی شده است. جزییات نرخ فتوجنریشن تعیین شده است. مراحل اصلی مدلسازی شرح داده شده و نتایج شبیه سازی با داده های تجربی منتشر شده به منظور توصیف دقت و صحت نتایج ما تولید شده اند. برای این ساختار سلول خورشیدی بهینه شده، ماکزیمم JSC=17.33 mA/cm2، VOC=2.66 V و FF=88.67% تحت روشنایی AM1.5G بدست آمده و حداکثر راندمان تبدیل 34.52% (1 sun) و 39.15% (1000 suns) بدست آمده است.

ترجمه مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized double top BSF layer

ترجمه مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized double top BSF layer
The presence and performance of the tunnel junction layer and back surface field (BSF) layers is the chief reason behind the high efficiency of the multi-junction solar cells. In this work, the focus is on thes election of a suitable material for the tunnel junction along with introducing a new top BSF layer. The simulation work is carried out in ATLAS TCAD. The various performance parameters like open circuit voltage (VOC), short circuit current density (JSC), fill factor (FF) and efficiency () are extracted from the proposed solar cell model and are compared with published results to ascertain the accuracy of the present work. Other parameters like the photogeneration rate, spectral response, potential developed,electric field are also determined. I–V curve and the power curve are also plotted for the proposed model.For this proposed structure VOC= 2.668 V, JSC= 18.2 mA/cm2, FF = 88.29% and EFF = 40.879% are obtained for 1000 suns illuminated under standard AM1.5G spectrum. The obtained outputs and the modeling steps are elaborately explained.

حضور و عملکرد لایه پیوند تونلی و لایه های میدان سطح پشتی (BSF) دلیل اصلی راندمان بالای سلول های خورشیدی چند پیوند است. در این کار، روی انتخاب یک ماده مناسب برای پیوند تونلی همراه با معرفی یک لایه BSF جدید در سلول بالا تمرکز شده است. کار شبیه سازی در ATLAS SILVACO انجام شده است. پارامترهای عملکرد مختلف مانند ولتاژ مدار باز (VOC)، چگالی جریان اتصال کوتاه (JSC)، ضریب پری (FF) و بازده (η) از مدل سلول خورشیدی پیشنهادی استخراج شده اند و با نتایج منتشر شده قبلی مقایسه شده اند تا صحت نتایج کار فعلی را ارزیابی کنند. همچنین پارامترهای دیگری مانند نرخ تولید نوری، پاسخ طیفی، پتانسیل توسعه یافته و میدان الکتریکی نمایش شده اند. منحنی I-V و منحنی توان نیز برای مدل پیشنهادی ترسیم شده اند. برای این ساختار پیشنهادی، VOC= 2.668 V, JSC= 18.2 mA/cm2, FF = 88.29%  و η = 40.879% تحت تابش 1000 خورشید طیف استاندارد AM1.5G بدست آمده اند. خروجی ها بدست آمده و مراحل مدلسازی به دقت توضیح داده شده اند. 

ترجمه مقاله Efficiency improvement of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized two BSF layer in top and bottom cells

ترجمه مقاله Efficiency improvement of ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with InGaP tunnel junction and optimized two BSF layer in top and bottom cells

An optimized BSF (Back Surface Field) is a key layer for a multi junction or single junction solar cell. In this work, two BSF layers with different thicknesses have been used in the upper and the lower cell and simulations have been done using the Silvaco ATLAS numerical modelling tools. It has been also found that in under the current matching condition with thinner upper BSF layers (160 nm, 30 nm) and a thicker lower BSF layer (1000 nm, 30 nm), JSC short circuit current density and VOC open circuit voltage and conversion efficiency solar cell is improved. Major steps of simulation and its description and results have been compared to the previously published data in order to describe accuracy of the results. By selecting the best thickness of BSF layer, the efficiency can be increased up to 15% which happens because of increase in photo-generation rates and absorption in the solar cells. This article shows some characteristics of the proposed dual junction solar cell such as photo-generation rate, short circuit current density, open circuit voltage and efficiency of the device relative to thickness of BSF layers and change in materials of tunnel junction. The results show that in case of increase in thickness of BSF, efficiency is also increased. The highest efficiency is obtained in thickness of 160 nm, then the efficiency is decreased. The values of Jsc = 23.36 mA/cm2, Voc = 2.43 V, FF = 86.76% and η = 47.78% (1 sun) have also been obtained under AM1.5G illumination in the proposed structure which shows improvement in performance of the proposed device.

یک BSF (back surface field) بهینه‌سازی شده، لایه‌ای کلیدی برای یک سلول خورشیدی چند پیوندی یا تک‌پیوندی است. در این کار، از دو لایه BSF با ضخامتهای مختلف در سلول بالایی و پایینی استفاده شده است و شبیه‌‌سازی‌ها با استفاده از ابزار مدل‌سازی عددی Silvaco ATLAS انجام شده‌اند. همچنین مشخص شده که تحت شرایط تطبیق جریان با لایه‌های BSF بالایی نازک‌تر (160nm, 30nm) و لایه BSF پایینی ضخیم‌تر (1000nm, 30nm)، چگالی جریان اتصال کوتاه JSC ، ولتاژ مدار باز VOC و بازده تبدیل η سلول خورشیدی بهبود می‌یابد. مراحل عمده شبیه‌سازی شرح و نتایج آن با داده‌های منتشر شده قبلی به‌منظور توصیف دقت و صحت نتایج حاصله مقایسه شده‌اند. با انتخاب بهتر ضخامت لایه‌ BSF، می‌توان بازده را به میزان 15% افزایش داد که دلیل آن افزایش نرخ فتوجنریشن و جذب توسط سلول خورشیدی است. این مقاله برخی مشخصه‌های سلول خورشیدی دو پیوندیِ پیشنهادی، مانند نرخ تولید نوری، چگالی جریان اتصال کوتاه، ولتاژ مدار باز و بازده افزاره را نسبت به ضخامت لایه‌های BSF و تغییر مواد پیوند تونلی نشان می‌دهد. نتایج حاصله نشان می‌دهند که در صورت افزایش ضخامت BSF، بازده نیز افزایش می‌یابد. بالاترین بازده در ضخامت 160nm بدست می‌آید و پس از آن بازده کاهش می‌یابد. همچنین در ساختار پیشنهادی مقادیر Jsc= 23.36 mA/cm2، Voc= 2.43 V، FF=86.76% و η=47.78% (1 sun) تحت نور AM1.5G بدست آمده‌اند که نشان‌دهنده بهبود عملکرد افزاره پیشنهادی می‌باشد. 

ترجمه مقاله Improving the performance of a multi-junction solar cell by optimizing BSF, base and emitter layers

ترجمه مقاله Improving the performance of a multi-junction solar cell by optimizing BSF, base and emitter layers

Abstract
Reducing the recombination rate and increasing the photo-generation rate play a very significant role in improving the performance of the solar cells. In this research, AlGaAs has been used instead of GaAs in emitter layer with reduction in thicknesses of the base in order to decrease the recombination rate and increase the efficiency of the proposed solar cell. In addition, tunnel junction, buffer junction and BSF layers have been optimized to achieve higher efficiency. The efficiency can be improved by selecting optimal thickness of the materials because of the increase in photo-generation rate and absorption rate, improving transparency of the tunnel area and reducing the recombination rates of the solar cells. The results showed that after optimization, JSC (short circuit current density), VOC (open circuit voltage) and the η (conversion efficiency) of the solar cell are clearly increased. Also, the results of simulation were compared to the other designs in order to compare its performance. In the proposed structure, values of Voc= 2.52 V, Jsc= 29.09 mA/cm2, FF=86.49% and η= 62.04% (1 sun) are obtained under AM1.5G illumination.  

چکیده
کاهش نرخ بازترکیب و افزایش نرخ تولید نوری نقش بسیار پر رنگی در بهبود عملکرد سلول‌های خورشیدی بر عهده دارند. در این پژوهش، از AlGaAs به جای امیتر GaAs همراه با کاهش ضخامت بیس به منظور کاهش نرخ بازترکیب و افزایش بازده سلول خورشیدی پیشنهادی، استفاده شده است. بعلاوه برای رسیدن به بازده بیشتر لایه‌های BSF، پیوند تونلی و بافر بهینه‌سازی شده‌اند. با انتخاب ضخامت بهینه مواد، می‌توان بازده را بهبود داد که دلیل آن افزایش نرخ فتوجنریشن و جذب، بهبود شفافیت ناحیه تونلی و کاهش نرخ بازترکیب سلول خورشیدی است. نتایج حاصله نشان دادند که پس از بهینه‌سازی، چگالی جریان اتصال کوتاه JSC، ولتاژ مدار باز VOC و بازده تبدیل η سلول خورشیدی به وضوح افزایش می‌یابند. همچنین در پایان، نتایج شبیه‌سازی این طرح با سایر طرح‌ها به‌منظور مقایسه عملکرد آن مقایسه شده است. در ساختار پیشنهادی، مقادیر Voc= 2.52 V، Jsc= 29.09 mA/cm2، FF=86.49% و η=62.04% (1 sun) تحت تابش AM1.5G بدست آمده‌اند. 

ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters

ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters

Abstract—We perform the numerical analysis of a CIGS solar cell parameters such as open circuit voltage, short circuit current, maximum power, fill factor, and external quantum efficiency as a function of absorber layer band gap. These parameters are known to be the key parameters of a solar cell to determine its performance. We change the band gap of the CIGS absorber layer by changing its alloy composition. ATLAS SILVACO is used to construct and simulate the CIGS solar cell structure with standard AM1.5 spectra. The open circuit voltage and the maximum power increase almost linearly with the band gap. However, the change in short circuit current and the fill factor with the CIGS bandgap does not show any formal relation. We found that the change in fill factor due to the band gap change is not significant compared to the change in open circuit voltage.

چکیده – تجزیه و تحلیل عددی پارامترهای سلول خورشیدی CIGS مانند ولتاژ مدار باز ، جریان اتصال کوتاه ، حداکثر توان ، ضریب پری  و بازده کوانتومی خارجی  به عنوان تابعی از شکاف باند لایه جاذب انجام شده است. این پارامترها به عنوان پارامترهای اصلی یک سلول خورشیدی برای تعیین عملکرد آن شناخته شده اند. با تغییرات ترکیب آلیاژ، شکاف باند لایه جاذب CIGS تغییر می دهیم. ATLAS SILVACO برای ساخت و شبیه سازی ساختار سلول خورشیدی CIGS با طیف استاندارد AM1.5 استفاده شده است. ولتاژ مدار باز و ماکزیمم توان تقریباً به صورت خطی با شکاف باند افزایش می یابند. با این حال، تغییر در جریان اتصال کوتاه و ضریب پری با شکاف باند CIGS هیچ رابطه ای را نشان نمی دهد. ما دریافتیم که تغییر در ضریب پری به دلیل تغییر شکاف باند در مقایسه با تغییر ولتاژ مدار باز قابل توجه نیست. 

آموزش جامع فرآیند مقاله نویسی - از نگارش تا نشر مقاله

آموزش جامع فرآیند مقاله نویسی - از نگارش تا نشر مقاله

امروزه یکی از مهم‌ترین ابزار در نشر علم و دانش چاپ مقالات علمی است. در حقیقت از طریق مقالات علمی است که یک پژوهشگر می‌تواند یافته‌هایش را در اختیار دیگران قرار دهد. در واقع یک پژوهشگر علاوه بر پژوهش کردن باید از توانایی نوشتن هم برخوردار باشد. از سوی دیگر، در کشور عزیزمان، کمبود یک کتاب آموزشی در زمینه نگارش مقالات علمی به‌ویژه مقالۀ ISI احساس می‌شود، در نتیجه تصمیم گرفته شد تا در جهت جبران این کمبود، قدمی، هر چند ناچیز، برداشته شود. بنابراین، هدف کتاب حاضر، کمک به پژوهشگران، دانشجویان و فارغ‌التحصیلانی است که در نگارش مقاله ضعف دارند.

تمرکز کتاب حاضر، بر روی نگارش مقاله‌های ISI است، ضمن آنکه اشاره‌ای مختصر و صرفاً جهت آشنایی به انواع مقالات و مجلات نیز می‌شود. نحوۀ نگارش هر یک از قسمت‌های مقاله به‌صورت قدم به قدم و با ذکر مثال‌های متعدد دو زبانه (فارسی و انگلیسی) ارائه شده تا چارچوبی کلی برای نگارش مقاله، در اختیار خواننده قرار گیرد چرا که مقالات تخصصی حوزه‌های مختلف علمی می‌توانند از لحاظ ساختاری و محتوایی متفاوت باشند. بعد از نحوۀ نگارش، در مورد اشتباهات رایج در نگارش مقاله، فرآیندهای انتخاب مجله، ارسال مقاله، داوری و نشر به‌طور مفصل بحث شده است تا اینکه خوانندگان محترم به خوبی با این فرآیندها آشنا شده و بدانند بعد از ارسال مقاله برای مجله، چه اتفاقاتی خواهد افتاد و چه کارهایی را باید انجام دهند.

این متن، پیشگفتار کتاب «آموزش جامع فرآیند مقاله‌نویسی: از نگارش تا نشر مقاله» نوشتۀ دکتر مهدی نادری بنی می‌باشد. خواندن این کتاب فوق العاده را به شما پیشنهاد می‌کنیم.

ترجمه مقاله Integrated Optical Devices of InGaAsP-InP Heterojunction Phototransistor and InnerStripe Light-Emitting Diode

ترجمه مقاله Integrated Optical Devices of InGaAsP-InP Heterojunction Phototransistor and InnerStripe Light-Emitting Diode
Abstract-New integrated optical devices combining an InGaAsP/InP HPT and an inner-stripe LED are proposed and their fabrication processes are described. The device functions of light amplification, optical bistability, and optical switching are demonstrated in the 1-um wavelength region.

I. INTRODUCTION
MONOLITHIC integration of well-developed discrete devices such as lasers, light-emitting diodes (LED’s), phototransistors, p-i-n diodes, and avalanche photodiodes (APD’s) has been drawing much attention for better performance and higher reliability [ 11, [2]. By integration, on the other hand, new functions which cannot be expected for the discrete optoelectronic devices can be realized utilizing the optical or electrical interactions between two or more optoelectronic devices [3]-[ ll].

خلاصه - افزاراه های مجتمع نوری جدید از ترکیب InCaAsPhP HPT و inner-stripe LED معرفی شده اند و مراحل ساخت آنها نیز بیان شده است. عملکرد افزاره در حالت های تقویت کنندگی نور، دوپایداری نور، و سوییچ نوری در محدوده طول موج 1-pm بررسی شده است.
مقدمه:
مجتمع سازی یکپارچه از افزاره های مجزا و توسعه یافته مانند لیزرها، دیودهای نوری (LED)، فوتوترانزیستورها، دیودهای p-i-n، و دیودهای نوری بهمنی (APD) توجه زیادی را به خود برای عملکرد بهتر و اعتبار بالا جلب کرده اند[1],[2]. از سویی دیگر مجتمع سازی، کاربردهای جدیدی که از افزاره های مجزا انتظار نمیرفت را با بکار گیری فعل و انفعالات الکتریکی و نوری بین دو یا چند افزاره، محقق ساخته است[3]-[11].

تعداد صفحات: 12

فایل ارائه فوتو ترانزیستورهای نامتجانس InGaAsP/InP ودیودهای نوری inner-stripe + ترجمه مقالات مرتبط

فایل ارائه فوتو ترانزیستورهای نامتجانس InGaAsP/InP ودیودهای نوری inner-stripe + ترجمه مقالات مرتبط

مجتمع سازی یکپارچه از افزاره های مجزا و توسعه یافته مانند لیزرها، دیودهای نوری (LED)، فوتوترانزیستورها، دیودهای p-i-n، و دیودهای نوری بهمنی (APD) توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. از سویی دیگر مجتمع سازی، کاربردهای جدیدی که از افزاره های مجزا انتظار نمیرفت را با بکار گیری فعل و انفعالات الکتریکی و نوری بین دو یا چند افزاره، محقق ساخته است.
شما دانشجویان گرامی می توانید علاوه بر دانلود محتوای فایل ارائه شده، کلیه متون خلاصه شده را در قالب یک گزارش در این پست دانلود نمایید. 

ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی (CNTFET) سورس و درین سبک آلاییده شده جدید با مقاومت دیفرانسیل منفی

In this paper, we propose and evaluate a novel design of a lightly doped drain and source carbon nanotube field effect transistor (LDDS-CNTFET) with a negative differential resistance (NDR) characteristic, called negative differential resistance LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET). The device was simulated by using a non equilibrium Green’s function method. To achieve this phenomenon, we have created two quantum wells in the intrinsic channel by using two n-type regions. In the wells that are separated by a thin barrier, two resonance states are generated. On the other hand, the thickness of the barrier between the source and the well is variable depending on the energy level. Accordingly, with increasing gate-source voltage, the number of tunneling electrons and consequently drain-source current are varied. Furthermore, we have presented a structure with two n-type and three p-type regions in the channel that illustrates a larger NDR region. In this structure, the peak and valley of the drain-source current are shifted when compared with the previous structure. Finally, we investigated the effect of doping concentration on the NDR parameter.

در این مقاله، طراحی جدیدی از درین و سورس به آرامی آلاییده شده ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی (LDDS-CNTFET) با مشخصه مقاومت دیفرانسیل منفی (NDR) را پیشنهاد و ارزیابی می کنیم که مقاومت دیفرانسیل منفی LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET) نامیده می شود. این افزاره با استفاده از متد تابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی شده است. برای دستیابی به این پدیده، دو چاه کوانتومی را در کانال ذاتی با استفاده از دو ناحیه نوع n ایجاد نموده ایم. در چاه هایی که توسط یک سد نازک جدا شده اند، دو حالت رزونانس ایجاد می شود. از سوی دیگر، ضخامت سد بین سورس و چاه، بسته به سطح انرژی، متفاوت است. بر این اساس با افزایش ولتاژ گیت-سورس، تعداد الکترونهای تونل زنی و در نتیجه جریان درین – سورس، متغیر هستند. علاوه بر این، ساختاری با دو ناحیه نوع N و سه ناحیه نوع p را در کانال ایجاد نشان داده ایم که نشان دهنده ناحیه NDR بزرگتری است. در این ساختار، پیک (peak) و دره (valley) جریان درین-سورس، در مقایسه با ساختار قبلی، جابجا می شوند. در نهایت، اثر غلظت آلایش بر پارامتر NDR را مورد بررسی قرار داده ایم.

تعداد صفحات: 12

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید. 

ترجمه مقاله Multijunction Solar Cells (توضیحاتی در خصوص سلول های خورشیدی)

ترجمه مقاله Multijunction Solar Cells (توضیحاتی در خصوص سلول های خورشیدی)

This paper gives an overview of solar cells and multijunction solar cells. The first part of the document describes the basic physics and design of single junction solar cells. It also highlights the history of solar cells and the advantages of solar technology. The second part of this paper discusses the physics, design, and fabrication process of multijunction solar cells. This section also describes concentrators and some potential problems with multijunction solar cells. The final part of the paper discusses practical uses of multijunction solar cells and its prospects for future design advancement. The section talks about where multijunction solar cells are currently found and some possible future advancements of the device.

این مقاله یک مرور کلی از سلول های خورشیدی و سلول های خورشیدی چند پیوندی را بیان می کند. بخش اول این نوشتار فیزیک پایه و طراحی سلول های خورشیدی تک پیوندی را توصیف می کند. همچنین تاریخچه سلول های خورشیدی و مزایای استفاده از فناوری خورشیدی شرح داده می شوند. بخش دوم این مقاله فیزیک، طراحی و فرایند ساخت سلول های خورشیدی مولتی جانکشن را تشریح می کند. در این بخش روی توضیحات تمرکز شده و برخی از مشکلات بالقوه سلول های خورشیدی مولتی جانکشن توصیف می شوند. در بخش پایانی مقاله استفاده عملی از سلول های خورشیدی مولتی جانکشن و چشم انداز آن برای پیشرفت طراحی های آینده بحث می شود. در این بخش در مورد اینکه سلول های خورشیدی مولتی جانکشن که در حال حاضر وجود دارند و پیشرفت های ممکن آینده آنها بحث می شود. 

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

ترجمه مقاله Highly efficient ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell numerical modeling using optimized InAlGaP BSF layers

ترجمه مقاله Highly efficient ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell numerical modeling using optimized InAlGaP BSF layers

An effective BSF is a key structural element for an efficient solar cell, either in a multi-junction or in a single-junction device. In this paper, two important materials AlGaAs and InAlGaP with their varied thickness (i.e. 0.05–1.0) μm both for top BSF and bottom BSF cells are investigated using the computational numerical modeling TCAD tool Silvaco ATLAS. It has been found that under the current matching condition with the relatively thinner (30 nm) top BSF layer and the thicker (1,000 nm) bottom BSF layer, the cell exhibit an overall enhancement of short-circuit current density Jsc and open circuit voltage Voc thereby improving the overall efficiency of the cell. 

یک BSF مؤثر یک عنصر ساختاری کلیدی برای یک سلول خورشیدی کارآمد در یک افزاره چند پیوندی یا تک پیوندی است. در این مقاله، دو ماده مهم AlGaAs و InAlGaP با ضخامت های مختلف (0.05-1) میکرومتر برای سلولهای BSF بالا و پایین، با استفاده از ابزار مدل سازی محاسبات عددی Silvaco ATLAS بررسی شده اند. همچنین مشخص شده که تحت شرایط تطبیق جریان با لایه BSF بالایی نازک تر (30nm) و لایه BSF پایینی ضخیم تر (1000nm)، چگالی جریان اتصال کوتاه JSC و ولتاژ مدار باز VOC افزایش می یابد و در نتیجه بازده کلی سلول خورشیدی بهبود می باید. 

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

نکات مهم آماده سازی مقالات علمی فارسی قبل از ترجمه

نکات مهم آماده سازی مقالات علمی فارسی قبل از ترجمه

مطالعه این مقاله آموزشی و توجه دقیق به یکایک نکاتی که دراین مقاله بیان شده است می تواند نقشی اساسی در تغییر نگارش مقالات فارسی پژوهشگران محترم و نیز اصلاح شیوه های اشتباه هایشان در ترجمه فارسی به انگلیسی داشته باشد و تر مفهوم شدن معنی مورد نظر پژوهشگر و کاهش خطاهای مترجم فارسی به انگلیسی و بعداً ویراستار انگلیسی الاصل کمک شایانی کرده و به سلیس و روان بودن مقاله انگلیسی نهایی که به مجله ارسال می شود کمک کند.

مطالعه این مقاله علاوه بر کسانی که مقاله فارسی می نویسند به پژوهشگرانی که مقالات خود را به انگلیسی هم نگارش می کنند توصیه می شود.

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

ترجمه مقاله: Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET


After discovering the carbon nanotube (CNT) by Aijima, scientific research about this structure are expanded due to its excellent electronic properties. One of the important properties of this structure is quasi-ballistic transport with very high carrier mobility. Using carbon nanotube, two types of field effect transistors have been discussed. The first type is Schottky barrier carbon nanotube field effect transistor (SB-CNTFET) and second type is MOSFET-like CNTFETs (MOSCNTs). The MOSCNT was more favorable because of the high on-off current ratio, but leakage current (IL) of this transistor is very high because of electron band-to-band tunneling (BTBT). In order to deal with this problem, some solutions such as drain and source with a linearly or lightly doped, source and drain extensions and asymmetric oxide thickness, have been proposed. Also, the dual material gate structure and the source and drain parameters effect on the characteristics of CNTFET are investigated. Moreover, the p-type halo implanted deteriorate the cutoff frequency and the switching delay of CNTFET.

برای دانلود به لینک مطلب مراجعه کنید.

اهمیت حافظه در سیستم های رایانه ای


معمولا در هنگام خرید رایانه ، افراد دچار سردرگمی برای انتخاب قطعات رایانه خود می شوند . معمولا کاربران رایانه از نحوه عملکرد حدود ۱۴ قطعه مختلف رایانه خود آگاهی ندارند . تمامی قطعات یک سیستم رایانه ای نیز هر یک به نحوی در راندمان کلی سیستم موثر می باشند . اما چند قطعه اصلی در راندمان سیستم ماکزیمم تاثیر را دارند . یکی از مهمترین این قطعات حافظه ها می باشند،
 
حتما می دانید که کامپیوتر مقابل شما دارای حافظه است. نه تنها یک نوع بلکه چندین حافظه مختلف.
ولی چیزی که شاید ندانید این است که اکثر وسایل دیجیتالی روزمره نیز دارای حافظه می باشند. برای مثال می توان به تلفن همراه، کنسول های بازی، رادیو اتومبیل، دستگاه ضبط و پخش DVD و CD و حتی تلویزیون نام برد.

● اساس کار حافظه کامپیوتر:
گرچه حافظه به هر نوع ذخیره ساز اطلاعات به صورت دیجیتال گفته می شود، ولی معمولا منظور از حافظه کامپیوتر، نوع غیر دائم و سریع آن است.
اگر پردازنده کامپیوتر شما برای دسترسی به اطلاعات مجبور به جستجو در هارد (HDD) بود، حتی ساده ترین عملیات ساعت ها به طول می انجامید. ولی وقتی اطلاعات قبل از رفتن به پردازشگر به حافظه منتقل شود، پردازشگر فقط در حجم کوچکی به دنبال اطلاعات می گردد.
اطلاعات چه از صفحه کلید وارد شود و چه از هارد، همگی ابتدا به RAM منتقل می شوند.
تمام اجزای کامپیوتر به صورت یک تیم با هم در ارتباط هستند. حافظه یکی از مهم ترین اجزای این تیم است. از زمانی که کامپیوتر خود را روشن می کنید تا وقتی که آن را خاموش می کنید مراحلی طی می شود که به صورت ساده می توان آن ها را به صورت زیر بیان کرد:

● کامپیوترتان را روشن می کنید.

● کامپیوتر روی ROM طلاعاتی ذخیره می کند و تستی به نام POST را اجرا می کند. این تست برای اطمینان از سالم بودن اجزای اصلی ضروری است. در جریان این تست یک بیت روی هر کدام از حافظه ها ذخیره و خوانده می شود تا از کارکرد حافظه ها اطمینان حاصل شود.

● کامپیوتر BIOS را روی ROM ذخیره می کند. BIOS شامل اطلاعات ساده ای مثل آدرس هارد و سی.دی درایو، ترتیب بوت (BOOT) کردن و Plug and Play (شناسایی خودکار قطعات) است.

● سیستم عامل روی RAM ذخیره می شود. به این معنی که فقط اجزای اصلی سیستم عامل روی این حافظه ذخیره می شود. با این کار سرعت کار کامپیوتر بالا می رود.

● وقتی برنامه ای را اجرا می کنید، ابتدا اجزای اصلی آن روی RAM ذخیره می شود و در صورت نیاز اجزای دیگر آن ذخیره می شود. همچنین اگر این برنامه ها به فایلی دسترسی دارند این برنامه روی RAM ذخیره می شود.

● وقتی فایلی را بعد از مورد استفاده قرار گرفتن توسط برنامه ای دوباره ذخیره می کنید، از RAM پاک می شود و به حافظه دائمی منتقل می شود.
در این پروسه فایل هایی که اجرا می شوند روی RAM یا حافظه غیر دائمی ذخیره می شود. به این ترتیب وقتی فایلی را باز یا برنامه ای را اجرا می کنید، پردازشگر کامپیوتر از RAM در خواست اطلاعات می کند و بعد از انجام پردازش روی اطلاعات آن را دوباره به RAM می فرستد. این کار به صورت یک چرخه ادامه پیدا می کند. در اکثر کامپیوتر ها وقتی برنامه ای بسته می شود تمام اطلاعات آن و تمام فایل های استفاده شده توسط آن ازRAM پاک می شود. به همین دلیل اگر اطلاعات روی حافظه دائمی ذخیره نشود از بین می رود.
سوالی که بعد از نگاه به لیستی که در ابتدا آورده شد به ذهنی هر کسی می رسد این است که چرا یک کامپیوتر به اکثر این حافظه ها نیاز دارد.

● انواع حافظه های کامپیوتر:
یک کامپیوتر ساده دارای حافظه های زیر است:

● Cache Level1 و Cache Level2

● یک RAM ساده

● حافظه مجازی (Virtual Memory)

● هارد دیسک

پردازشگر های قوی و پر سرعت نیاز به دسترسی سریع به اطلاعات دارند. اگر این اطلاعات با تأخیر برسند، کار پردازشگر مختل می شود.
پردازشگری با سرعت 1گیگاهرتز توانایی پردازش میلیون ها بایت در یک ثانیه را دارد. مشکل اساسی که سازندگان سخت افزار با آن روبرو هستند این است که حافظه ای که توانایی همکاری با پردازشگر های مدرن را داشته باشد بسیار گران است و کاربران عادی توانایی تهیه آن را ندارند.
سازندگان حافظه این مشکل را حل کرده اند. به این ترتیب که تعداد کمی حافظه ارزان قیمت را با تعداد بیشتری حافظه ارزان تر به هم متصل می کنند.
ارزان ترین نوع حافظه؛ نوع دائمی آن است. هارد دیسک بسیار ارزان تر از سایر حافظه ها است. این نوع حافظه آخرین لایه حافظه پردازشگر را به نام حافظه مجازی (Virtual Memory) را تشکیل می دهد.
لایه بعدی RAM است. اندازه بیت (Bit) پردازشگر نشان می دهد که چه مقدار اطلاعات را در یک لحظه از RAM می تواند دریافت کند. برای مثال یک پردازشگر 16 بیتی می تواند 2بایت (Byte) اطلاعات از RAM بگیرد. (8 بیت = 1 بایت)
مگاهرتز بیانگر تعداد پردازش ها به میلیون در یک ثانیه است. به این معنی که یک پردازشگر 800 مگاهرتزی 32 بیتی می نواند 4 بایت اطلاعات را 800میلیون بار در ثانیه پردازش کند.
RAM کامپیوتر هرگز توانایی کار با این سرعت بالا را ندارد. به همین دلیل در این میان از Cache استفاده می شود. در ادامه به معرفی Cache می پردازیم.

● RAM:
سرعت RAM توسط پهنای گذرگاه (Bus Width) و سرعت گذرگاه آن (Bus Speed) کنترل می شود. پهنای گذرگاه به تعداد بیت هایی که به پردازشگر فرستاده می شود، گفته می شود و سرعت گذرگاه به تعداد دفعاتی که این بیت ها در یک ثانیه به پردازشگر می روند.
هر بار که اطلاعات از حافظه به پردازشگر می رود یک نوع چرخه موسوم به Bus Cycle ایجاد می شود. همان طور که گفته شد پردازشگر 100مگاهرتزی 32 بیتی توانایی پردازش 100میلیون بار 4 بایت اطلاعات را دارد و پردازشگر 66مگاهرتزی 16 بیتی توانایی پردازش نصف این مقدار اطلاعات به تعداد 66میلیون بار در ثانیه را دارد. با محاسبه ای ساده درمی یابید که سرعت پردازش اولی نقریبا سه برابر دومی است. (132میلیون بایت به 400میلیون بایت)
ولی تصوری که از سرعت عملکرد RAM داریم با واقعیت تفاوت دارد. زمان لازم برای خواندن اطلاعات توسط پردازشگر (Latency) از سوی RAM این تفاوت را ایجاد می کند. برای مثال RAM که با سرعت 100مگاهرتزی کار می کند توانایی فرستادن یک بیت اطلاعات در 0.00000001 ثانیه را دارد ولی ممکن است خواندن اولین بیت 0.00000005 ثانیه طول بکشد. برای جبران این عقب ماندگی پردازشگر از تکنیکی به نام Burst Mode استفاده می کند.
با این روش به کنترل گر حافظه پردازشگر این فرض داده می شود که انتظار آمدن اطلاعات بعدی را از همان قسمت داشته باشد که اطلاعات قبلی از آن آمده است و پردازشگر شروع به پردازش پیاپی اطلاعات می کند. این بدین معنی است که تنها خواندن اولین بیت اطلاعات از پردازشگر زمان می گیرد.

● Cache:
Cache یکی از ابزاری است که اطلاعات را آسان تر در اختیار پردازشگر قرار می دهد. Cache اطلاعاتی را که بیشتر توسط پردازشگر استفاده می شود را در خود ضبط می کند. محل قرارگرفتن آن داخل پردازشگر است.نوع اول (Level 1 Cache) است.
نوع دوم (Level 2 Cache) حافظه ای جدا از پردازشگر است و مستقیما به پردازشگر متصل است.  حجم این نوع آن از 256کیلوبایت تا 2 مگابایت است. در اکثر کامپیوتر ها 95 درصد اطلاعات مورد استفاده پردازشگر توسط Cache تهیه می شود.  حجم Cache تأثیر زیادی روی کارکرد پردازشگر دارد.

● Register:
آخرین لایه حافظه کامپیوتر Register است. Register حافظه ای است که درون پردازشگر قرار دارد و پردازشگر مستقیما از آن استفاده می کند. اطلاعات مربوط به پردازش اطلاعات و عملیات محاسباتی و منطقی (ALU : Arithmetic And Logic Unit)  در این حافظه قرار دارد.

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

کنترل سیستم های بلادرنگ

http://farsbooks.mihanblog.com

واژه سیستم بی‌درنگ در اكثر موارد متأسفانه اشتباه استفاده می‌شود. این معنی در استاندارد DIN آلمان با شماره 44300 صحنه دوم خط پنجم اینگونه تعریف می‌شود.

عمل بی‌درنگ عبارتست از عملكرد یك سیستم كامپیوتری كه در آن برنامه‌های لازم برای پردازش داده‌های وارده از خارج سیستم همواره آماده باشد بگونه‌ای كه اجراء شدن آن آسان بوده و نتایج آن در فواصل زمانی بطوری كه از قبل تعیین شده باشند را قابل حصول می‌كند،این عمل بسته به نوع زمان و ورود داده‌ها می‌تواند بصورت تصادفی و از قبل تعیین شده باشد.

بنابراین وظیفه كامپیوترهای دیجیتال در این وضعیت این است كه برنامه‌های ما را اجراء كند و با رویدادهایی كه در خارج اتفاق می‌افتد و طبق برنامه می‌باشد، عمل نماید. سیستم‌های بلادرنگ همیشه بعنوان بخشی از یك محیط بزرگتر كه آن را در برگرفته است در نظر گرفته می‌شود از این رو در كتاب‌های آمریكا (دانشگاه یوتا) آن را بعنوان سیستم نهفته نیز می‌نامند (embedded system) بطوری كه پدیده عملكرد بی‌درنگ را می‌توان با مثال‌هایی از زندگی روزمره نشان داد:

راننده‌ای كه در اتوبان خودروی خود را می‌داند باید موظف پیاده‌ها، سایر خودروها، حیوانات و چراغ راهنمایی باشد و همواره آماده باشد تا با یك سرعت قابل اطمینان از حادثه جلوگیری كرده و عكس‌العمل نشان دهد. اساساً راننده‌هایی كه بطور تصادفی سیگنال‌هایی را از محیط اطراف دریافت كرده، پردازش اطلاعات و انجام عكس‌العمل آنها منجر به تصادف خواهد شد.

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

الگوهای موجود برای نیمه هادی ها

http://farsbooks.mihanblog.com

الکترون ها و حفره ها، حامل ها هستند. در هادی ها فقط با الکترون ها سر و کار داریم در حالیکه در نیمه هادی ها حفره ها هم به اندازه الکترون ها اهمیت دارند. 

برای تجزیه و تحلیل ادوات نیمه هادی دو الگو معرفی می شود که به ترتیب الگوی پیوندی و الگوی نوار انرژی می باشند. 

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

نیمه هادی ها و کاربردهای آنها


در زندگی ما و بهتر بگوییم در قدم گذاشتن بشر به عصر دیجیتال و فیزیک و الکترونیک نوین؛ نیمه رساناها نقش تاریخی ایفا کرده‌اند.نیمه رساناها در درون دستگاه‌های گوناگونی یافت می شوند. اساس ساخت پردازشگر‌ها و ریز پردازنده‌ها و تمام دستگاه‌هایی که به نحوی اطلاعات و عملیاتی را پردازش می‌کنند، نیمه رساناست. از کامپیوتر شخصی‌ گرفته تا دستگاه های عکس برداری پزشکی و پخش کننده ها .سیلیکون یکی از عناصر سازنده زمین و بعد از اکسیژن بیشترین فراوانی را در پوسته زمین دارد به طوری که 25.7٪ از جرم پوسته زمین از سیلیکون تشکیل شده است.سیلیکون ها در تولید بسیاری از نیمه هادی ها کاربرد دارد.نیمه رسانا در ساده‌ترین شکل خود یک ”دیود ” است. برای درک ساختار نیمه رساناها بهتر است از مطالعه روی دیود شروع کنیم.دیود جریان را تنها در یک جهت از خود عبور می‌دهد. به همین دلیل آن را یکسو کننده نیز می نامند .  استفاده هایی زیادی از همین خاصیت می‌شود. برای مثال وسایلی که نیروی محرکه الکتریکی آن‌ها از باتری تأمین می‌شود دارای دیود هستند .ترانزیستور مجموعه‌ای از دیود‌های متصل به هم است. اگر بخواهیم به موضوع ساده نگاه کنیم ؛ عملکرد یک ترانزیستور را می توان تقویت جریان دانست و سپس از این جریان قوی برای قطع و وصل کردن یک رله برقی می توان استفاده کرد. همچنین نیمه رسانا ها کاربرد های مختلف دیگری اعم از باتری های خورشیدی و فناوری های ساخت آنها و دیگر کاربرد های آن که به تفصیل در این مقاله به آنها می پردازیم.

فهرست مطالب:

مقدمه

نیمه هادی ها

نیمه هادی نوع N

نیمه هادی نوع  P

دیود

دیود قدرت

دیود استاندارد یا همه منظوره

دیود بازیابی معکوس

دیود شاتکی

ترانزیستورها

انرژی فتوولتائیک

کاربرد سلول های فتوولتائیک

باتری خورشیدی

فناوری ساخت سلول های خورشیدی

آینده تولید نیمه هادی ها


نویسنده: علی یادبروقی

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

پروژه پوشش های نازک چند لایه

http://farsbooks.mihanblog.com

در این تحقیق ما پوشش های چند لایه نازک را مورد بررسی قرار داده ایم. در ابتدا با بیان تعریفات اولیه لایه و انواع آن و پوشش های نازک و در ادامه خواص این پوشش ها که دو حالت کلی دارد اول خواص حاصل از کم لایه ها و دوم خواص حاصل از تعدد لایه ها آورده شده است . روش های تولید این پوشش ها PVD،CVD ،MBE ،PLD و CBD می باشد که دو مورد اول از عمومیت بیشتری برخوردار است. کاربردهای متنوعی هم که در زمینه هایی از قبیل ابزار برش، سلول های خورشیدی، ویندو فیلم ها و قطعات الکترونیکی از قبیل ترانزیستورها و... دارد. آزمون هایی هم که بر روی بررسی کیفیت این نوع پوشش ها انجام می شود شامل آزمون های XPS ، AES ،SIMS و میکروسکوپ الکترونی رویشی می باشد که آنها را می توان در دو دسته سختی سنجی و مقاومت سایشی قرار داد.

فهرست مطالب 

چکیده
مقدمه
فصل اول: تعریف های  مقدماتی
لایه
لایه نازک
پوشش های چند لایه نازک
فیزیک لایه نازک
کیفیت لایه های نازک
فصل دوم: خواص پوشش ها
خواص حاصل از ضخامت کم لایه ها
خواص مکانیکی
خواص الکتریکی
خواص مغناطیسی   
خواص نوری
خواص حاصل از تعدد لایه ها
فصل سوم: روش های ساخت
روش های فیزیکی
Evaporation.
Sputter deposition
روش های شیمیایی  
آبکاری الکتریکی(Electroplating)
آبکاری الکترولس(Electroless Plating)
اپیتکسی باریکه مولکولی Mulecular Beam Epitaxy  MBE
لایه گذاری به وسیله پالس لیزری 
لایه نشانی حمام شیمیایی Chemical Bath Deposition: CBD
فصل چهارم: کاربردها
ابزار برش
پوشش دهی با موادی از جنس فلز سخت و مستحکم
پوشش با فلز و مواد سخت کووالانسی
ترازیستور (Transistor)
GMR
سلولهای خورشیدی
انواع سلول های فتوولتاییک خورشیدی آلی:  سلول های فتوولتاییک آلی تک لایه
سلولهای فتوولتاییک آلی دولایه
سلولهای فتوولتاییک با اتصالات ناهمگن توده‏ای
پوشش های پلیمری در سلول های خورشیدی
ویندو فیلم ها
فصل پنجم: انواع پوشش ها و اثرات و کاربرد آنها
پوشش TIN
پوشش TIC
پوشش TiCN
مقایسه پوشش‌های TiCN, TiC, TiN
پوشش CrN و CrC
پوشش های هوشمند
انواع پوشش های هوشمند
پوشش های فعال آلیاژهای آلومینیوم
پوشش فعال توربین های گازی صنعتی
فصل ششم: آنالیز پوشش ها
طیف شناسی فوتوالکترون اشعه ایکس(XPS)
طیف شناسی الکترون اوژه (AES)
طیف شناسی جرمی یون ثانویه(SIMS)
بررسی سختی پوشش ها
بررسی مقاومت سایشی پوشش ها
آزمون سایش رفت و برگشتی
آزمون سایش پین روی دیسک
نتیجه گیری
مراجع

مرجع: mojtabamohamadi.persiangig.com

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

آشنایی با قطعات الکترونیکی

http://farsbooks.mihanblog.com

در حال حاضر الکترونیک کلید فتح شگفتیهای جهان است و با تمام علوم و فنون موجود به نحوی پیوند خورده است. از وسائل ساده خانگی تا پیچیده ترین تکنیک های فضایی همه جا صحبت از تکنولوژی فراگیر الکترونیکی است و امروز صنعت مدرن بدون الکترونیک و تکنولوژی های وابسته به آن عملا مطرود و از کار افتاده است. در این کتاب با ساختمان و کاربرد انواع قطعات الکترونیکی به همراه تصاویر مربوطه آشنا خواهید شد. قطعاتی که در این کتاب مورد بررسی قرار گرفته اند عبارتند از : انواع مقاومت، انواع دیود، انواع ترانزیستور، انواع سلف و انواع خازن.

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

وایفای و وایمکس

http://farsbooks.mihanblog.com

وایمکس و وایفای را میتوان دو تکنولوژی به روز، از شبکه مدرن بیسیم (Wireless) دانست که به ترتیب با استاندارد های IEEE 802.16 و IEEE802.11 مشخص میگردند. در این کتاب با این دو تکنولوژی جدید آشنا می شوید.

اصطلاح وایفای مخفف دو کلمه ی wireless Fidelity است. این نوع شبکه ها بسته به نوع استانداردی که از آن پیروی می کنند بردی تا 400 متر دارند. محدوده فرکانسی امواج این شبکه در محدوده ی امواج مایکروویو قرار دارد.

وایمکس یک روش بیسیم فوق العاده سودمند و انقلابی در زمینه دسترسی تمامی کاربران به اینترنت است. این نام از حروف اول کلمات Worldwide Intero Perability for Microwave Access گرفته شده و همانگونه که از نام آن پیداست، راه حلی برای دسترسی به اینترنت از طریق امواج مایکروویو است.

فهرست مطالب:

آشنایی با وایفای
آشنایی با وایمکس
طرز کار وایمکس
مقایسه وایمکس و وایفای
سرویس ها وایمکس
مزایای وایمکس
ظرفیت وایمکس
ساختار وایمکس شرکت هوآوی

برای دانلود، به ادامه مطلب مراجعه کنید.

شبکه GSM

www.farsbooks.mihanblog.com

GSM مخفف Global System for Mobile Communication است كه برای نخستین‌بار در سال 1982 توسط سازمان استاندارد‌سازی اروپا به‌كار برده شد و این سازمان استاندارد جدیدی برای ارتباطات سیار در باند 900 مگاهرتز ارائه كرد.

كار تقسیم‌بندی باند فركانسی در خصوص كاهش ایستگاه‌های فرستنده‌ی BTS و در جهت استفاده‌ی مجدد از باند فركانسی در نواحی مختلف و تحت یك طرح جامعه شبكه‌ای صورت می‌گیرد كه توسط یك اداره طراحی شبكه‌ی سلولی تعیین می‌گردد.

شبكه‌ی GSM شامل تعداد كثیری MS یا همان گوشی‌های موبایل است كه در انواع و مدل‌های مختلف در دست افراد موجود است.

شبکه های سلولی نسبت به سایر رقبا مزایای خاصی دارند. برای ادامه این بخش و توضیحات بیشتر، این کتاب را دانلود کنید.

برای دانلود، به ادامه مطلب مراجعه کنید.

آشنایی با سنسورها

http://farsbooks.mihanblog.com

سنسور اثر هال (HALL EFFECT)
این سنسور در صنایع به طور عمده ای كاربرد دارد كه به دلیل قیمت ارزان آن است در مقابل حرارت تا 80 درجه مقاوم است مزیت بزرگ این سنسور ها تناسب خطی ولتاژ خروجی با میدان است انواع 5 ولت و 6 ولت و 15 ولت آن موجود است در میدان مستقیم و متناوب كاربرد دارد تا فركانس 200 مگاهرتز دو كاربرد اساسی دارد: 

1) اندازه گیری میدان
2) آشكارسازی میدان

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.